目前单端正激式激励变压器的分析

△=R1 p/L△为反冲因子

X1=tb/T1为相对时间常数

tb为磁复位时间 T反应温度468℃1=在U1 （t）电压方程的基础上，可以导出变压器磁恢复时间的表达式，但电路设计均在过阻尼状态，则可得到如下表达式：tb=L△/R1 ln[10(△＋R1 2C/L△)]

3变压器设计要点

（1）在图1电路中，脉冲源和负载均为场效应管，其输入电容较大，通常采用减小L△来加速磁复位，但减小电感容易引起欠阻尼振荡，严重时会导致V2场效应管二次导通或截止不充分，因此必须控制初级电感值，保证变压器能达到磁复位和不出现欠阻尼振

荡，在控制电感值还不能达到满意结果时，可以调整次级并联电阻R1；当R1减小时，振荡会消失，但恢复时间会延长，所以电路和变压器两者之间应具有调整范围，以保证在不出现振荡的前提下变压器磁状态也得到复位，最佳状态应当是临界状态，但电路很难设计在临界状态工作。

（2）在设计单端正激式激励变压器时铁心选择也十分重要，一般要求铁心具有较高的磁通密度增量

△B值，较小的铁心损耗和较低的脉冲磁导率 P值；能用于激励变压器的铁心材料有铁氧体，铁基非晶，1J6721，1J34Kh等，频率较高时可以选用铁氧体罐形磁心，频率较低时可以选用铁基非晶，1J6721，1J34Kh等铁心。

（3）回授绕组的设计主要是取决于V1的耐压，但回授绕组的匝数应满足如下关系式：

Up pmax （Np1/Np2）Up(T－ 就会直接被送入工厂做更多测试及试生产等pmax)

回授绕组的电流与磁化电流基本相等，一般只有初级电流的50％，有的与初级电流相近，主要取决于工作的磁通密度△B值和初级电感值。

（4）在设计较高电压的开关电源时，一般Ec2较高，为了提高低压激励电路的可靠性，激励变压器初次级加屏蔽，并接地，将有效地保证低压激励电路不致被损坏。

以上几点是设计单端正激式激励变压器的要点。在设计时就是要获得锂矿资源应考虑高频集肤效应对导线电阻的影响，以及防止变压器瞬间饱和，减小漏感等问题；这些问题的计算和分析可参考一般到了PPB级别脉冲变压器设计。

4设计实例

（1）指标要求:Ec1=15V，R1=51 ,IL=1A，C=4500 F,Np1/Ns=2,f=46～100kHz,初次级隔离电位：脉冲560V、DC280V,占空比为34％。

（2）设计结果：磁心采用GU18 11,Np1=Np2=16匝,Ns=8匝,L△=0.45mH,tb=8.27 sNp1/Ns=Np2/Ns=2;在电路中工作正常。