IR推出封装更小的DCDC降压式DirectFET转换器图

全球功率半导体和管理方案领导厂商－－国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出全新30V同步降压式转换器芯片组，其中包括IRF6631控制MOSFET和IRF6638同步MOSFET。该芯片组采用双面冷却的IR基准DirectFET R封装和最新的HEXFET MOSFET技术，可以在中电流水平（低于18安培）实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信，以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。 IR中国销售总监严国富指出：“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小，快捷开关，及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率，还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。” 该芯片组的每个器件都是为了使同步DC－DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。 IRF6631控制FET的栅极电荷为12nC，电阻栅极电荷（99.6 mohmsnC）优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步 FET在4.5V时可提供3.0mohms的典型导通电阻，在保持同一栅极电荷时，比现有的器件减少了12%。 IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却，使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制（RoHS）规定。 IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货，产品基本规格如下： 产品编号封装BVDSS(V)10V以下最大RDS(on)(mΩ)4.5V以下最大RDS(on)(mΩ)VGS(V)在25℃的ID(A)典型QG(nC)典型QGD(nC)IRF6638DirectFETSmall Can302.93.9201403011IRF6631DirectFETMedium Can307.810.82057124.4

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